Enregistrement Optique dans des Couches Minces de Tellure Modifiees Par Implantation
Abstract
Cette etude des proprietes d'enregistrement optique des couches minces de tellure a porte sur l'introduction d'impuretes dans le materiau par le mecanisme d'implantation ionique. Les travaux ont revele des caracteristiques importantes de l'influence de l'implantation d'ions de gaz rares (He ^{+} et Ne^ {+}) et d'ions de Li^{+ } sur les proprietes du milieu enregistreur. Lors de l'implantation des ions de gaz rares, une dose implantee critique et une energie ionique critique ont ete identifiees demarquant des discontinuites dans le comportement des seuils d'ecriture, des coefficients optiques et de la structure cristalline des couches minces de tellure. Ces valeurs critiques dependent fortement des conditions de preparation du materiau et de l'espece d'ions implantee. De plus, l'implantation d'ions Li^{+} a demontre qu'une amelioration importante de la stabilite a long terme des couches minces peut etre obtenue par le processus d'implantation.
- Publication:
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Ph.D. Thesis
- Pub Date:
- 1990
- Bibcode:
- 1990PhDT.......241B
- Keywords:
-
- FRENCH TEXT;
- Engineering: Electronics and Electrical; Physics: Optics