高速成長4H-SiCエピタキシャル単結晶膜を用いた高電圧ショットキーダイオードの開発; 高速成長4H-SiCエピタキシャル単結晶膜を用いた高電圧ショットキーダイオードの開発; Fabrication of high-voltage 4H-SiC Schottky barrier diodes using epitaxial layers obtained at a high growth rate
Abstract
- Publication:
-
IEEJ Transactions on Power and Energy
- Pub Date:
- 2002
- DOI:
- 10.1541/ieejpes1990.122.5_637
- Bibcode:
- 2002IJTPE.122..637T